Siemens HYB514171BJ-60
Speicher
| HTN | HYB514171BJ-60 |
|---|---|
| Hersteller | Siemens |
| Beschreibung | ast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40 |
| D/C | 98/52 |
| Verpackungsart | T&R |
| ROHS Status | Non RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe
