Samsung K9F1208U0A-YCB0

Speicher

HTN K9F1208U0A-YCB0
Hersteller Samsung
Beschreibung 64MX8 FLASH 2.7V PROM, 30ns, PDSO48
D/C 04/10
Verpackungsart Tray
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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