Samsung K6X4008T1F-VF70

Speicher

HTN K6X4008T1F-VF70
Hersteller Samsung
Beschreibung 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
D/C 04/16
Verpackungsart Tray
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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