Samsung K6X1008T2D-GF70

Speicher

HTN K6X1008T2D-GF70
Hersteller Samsung
Beschreibung 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM SOP32
D/C 05+
Verpackungsart Tube
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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