Samsung K6R1008V1C-TC15
Speicher
HTN | K6R1008V1C-TC15 |
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Hersteller | Samsung |
Beschreibung | 128Kx8-Bit High-Speed CMOS static RAM |
D/C | 00+ |
Verpackungsart | |
ROHS Status | Non RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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