Samsung K4S641632N-LC/L75

Speicher

HTN K4S641632N-LC/L75
Hersteller Samsung
Beschreibung 64Mb N SDRAM Memory TSOP 54
D/C 10/28
Verpackungsart Bulk
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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