Samsung K4B8G1646D-MMMA
Speicher
| HTN | K4B8G1646D-MMMA |
|---|---|
| Hersteller | Samsung |
| Beschreibung | DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96 |
| D/C | 17/16 |
| Verpackungsart | Tray |
| ROHS Status | RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe
