Mitsubishi V50004-F68-T810
Speicher
HTN | V50004-F68-T810 |
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Hersteller | Mitsubishi |
Beschreibung | IC DRAM |
D/C | |
Verpackungsart | |
ROHS Status | n/A |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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