Mitsubishi V50004-F68-T810

Speicher

HTN V50004-F68-T810
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IC DRAM
D/C
Verpackungsart
ROHS Status n/A

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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