Mitsubishi M2V64S40BTP-10

Speicher

HTN M2V64S40BTP-10
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung 4MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, PDSO54
D/C 99/16
Verpackungsart cut Tape
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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