Hynix H5PS1G83KFR-S6IR

Speicher

HTN H5PS1G83KFR-S6IR
Hersteller Hynix
Beschreibung DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
D/C 16/23
Verpackungsart T&R
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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