ESMT M12L2561616A-7TG2K

Speicher

HTN M12L2561616A-7TG2K
Hersteller ESMT
Beschreibung SYNCHRONOUS DRAM
D/C 11/44
Verpackungsart Tray
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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