Alliance AS6C8008-55ZIN

Speicher

HTN AS6C8008-55ZIN
Hersteller Alliance
Beschreibung SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn
D/C 16/30
Verpackungsart Tray
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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