SEC K6F8016U6B-EF55
Speicher
HTN | K6F8016U6B-EF55 |
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Hersteller | SEC |
Beschreibung | 512Kx16 Bit Super Low Power And Low Voltage Full CMOS Static RAM |
D/C | 02/44 |
Verpackungsart | Tray |
ROHS Status | Non RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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