Samsung KM6264BL-7

Speicher

HTN KM6264BL-7
Hersteller Samsung
Beschreibung Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28
D/C 00/47
Verpackungsart Tube
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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