Samsung K7M323635C-PC75T

Speicher

HTN K7M323635C-PC75T
Hersteller Samsung
Beschreibung 1MX36 ZBT SRAM, 7.5ns, PQFP100
D/C 10/01
Verpackungsart T&R
ROHS Status RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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