Samsung K4T51163QJ-BCE6
Speicher
| HTN | K4T51163QJ-BCE6 |
|---|---|
| Hersteller | Samsung |
| Beschreibung | Cache DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
| D/C | 14/40 |
| Verpackungsart | Tray |
| ROHS Status | RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe
