Samsung K4S511632B-UC75
Speicher
HTN | K4S511632B-UC75 |
---|---|
Hersteller | Samsung |
Beschreibung | Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
D/C | 06/13 |
Verpackungsart | Tray |
ROHS Status | RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
Order Samsung K4S511632B-UC75 at eXcessportal.com. Check stock and pricing, view product specifications, and order online.
Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe