Samsung K4B2G0846D-HCH9
Speicher
| HTN | K4B2G0846D-HCH9 |
|---|---|
| Hersteller | Samsung |
| Beschreibung | DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
| D/C | 11/40 |
| Verpackungsart | Tray |
| ROHS Status | RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe
