ProMos T. V54C3128164VEI7I
Speicher
| HTN | V54C3128164VEI7I |
|---|---|
| Hersteller | ProMos T. |
| Beschreibung | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
| D/C | 11+ |
| Verpackungsart | Tray |
| ROHS Status | RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe
