Micron MT4LC4M4E9TG-6S

Speicher

HTN MT4LC4M4E9TG-6S
Hersteller Micron
Beschreibung 4MX4 EDO DRAM, 60ns, PDSO24
D/C 99/32
Verpackungsart cut Tape
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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