Intel E28F010-120

Speicher

HTN E28F010-120
Hersteller Intel
Beschreibung Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32
D/C 95/16
Verpackungsart Tray
ROHS Status Non RoHS

Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.

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