Hyundai HY53C256LS-10
Speicher
HTN | HY53C256LS-10 |
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Hersteller | Hyundai |
Beschreibung | 256KX1 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDIP16 |
D/C | 91/36 |
Verpackungsart | Tube |
ROHS Status | Non RoHS |
Ein Speicherbaustein (englisch: chip) ist ein Integrierter Schaltkreis, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen. Er wird als Random-Access Memory (RAM), Dynamic Random Access Memory (DRAM), EPROM oder Flash-Speicher zum Auflöten auf eine Leiterplatte angeboten. Um die bei modernen Computern erforderliche Speichergröße zu erreichen, werden mehrere DRAM zu einem Speichermodul zusammengefügt.
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Hierbei handelt es sich um Beispielbilder für diese Produktgruppe